品牌:NCE | 型號(hào):NCE0218 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF7416 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-2999 個(gè)
￥0.80
≥3000 個(gè)
￥0.78
品牌:SW | 型號(hào):SW740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
￥1.00
類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4110 | 功率:-- | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):--
≥100 個(gè)
￥2.30
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF13N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥3.50
品牌:ADV美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體 | 型號(hào):IRFP360 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個(gè)
￥3.40
品牌:IR-VISHAY | 型號(hào):IRF1607 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | --:--
≥100 個(gè)
￥1.40
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPW47N60C3.SPW47N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥2 個(gè)
￥7.10
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW60NE10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥2 個(gè)
￥6.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):fqa160n08 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥5 個(gè)
￥9.00
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):TK15A60U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10000-49999 個(gè)
￥1.80
≥50000 個(gè)
￥1.78
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFS4321PBF IRFS4410 IRFS450 IRFS4610 IRFS4710 IRF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | .:.
≥50 個(gè)
￥4.50
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):SOT-223 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-29 個(gè)
￥0.53
30-499 個(gè)
￥0.50
≥500 個(gè)
￥0.48
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFR1205TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:37A | 開(kāi)啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:0 | 最大耗散功率:69W
≥2000 個(gè)
￥1.90
品牌:比亞迪 | 型號(hào):BF910N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4310 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
￥5.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF1010NPBF.IRF1010EPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥2.35
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4610 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:*
≥200 個(gè)
￥1.90
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB3307 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:*
≥100 個(gè)
￥1.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4227 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 跨導(dǎo):* | 開(kāi)啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*
≥200 個(gè)
￥2.00