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品牌:華之美 | 型號:HM30P55K | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 兼容:AOD413 | 封裝:TO-252

品牌:博明 | 型號:AO3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:博明 | 型號:AO3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:華之美 | 型號:HM50N03K | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 兼容:AP50N03， PHD50N03， AP45N03， PHD45N03， PHP45N03， AO | 封裝:TO-252

類型:其他IC | 品牌:HXL/AO/SI | 型號:4606/AO4606 | 功率:100W | 用途:儀器 | 封裝:SOP8 | 批號:最新

類型:其他IC | 品牌:AO/HXL | 型號:NE555P | 封裝:SOP8 | 批號:最新

品牌:AO | 型號:AOD404 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:SENSEFET電流敏感

品牌:萬代 | 型號:AOD417 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5

品牌:萬代 | 型號:AOD409 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5

應用范圍:高反壓 | 品牌:ON/安森美 | 型號:AO3405 SOT-23 MOS | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

品牌:AO | 型號:AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AO | 型號:AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AO | 型號:AOB412L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道