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品牌:華瑞 | 型號:CEG8205A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:FB4710 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | FB4710:ID=75A， VDSS=100V， RDS(on)=14.0mΩ， PD=200W

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3713 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1010E | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:078N12 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | ·:·

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4610 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:85 | 跨導:10 | 開啟電壓:100 | 夾斷電壓:130 | 低頻噪聲系數:0.2 | 極間電容:0.5 | 最大耗散功率:230

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2233 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:50 | 跨導:1 | 開啟電壓:60 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:2 | 最大耗散功率:150

品牌:仙童MOSFET | 型號:FDS8880 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:SOP-8

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4468 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

類型:其他IC | 品牌:ALLEGRO | 型號:ACS758LCB-100B-PFF | 用途:A/寬頻帶放大 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:標準 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:標準 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準