品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGL160N60UFD | 種類:發光二極管 | 溝道類型:其他 | 用途:開關 | 材料:硅(Si) | 是否進口:是 | 主要參數:IGBT/160A600V | 是否提供加工定制:否
≥25 PCS
￥28.00
應用范圍:功率 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP3206 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插
應用范圍:功率 | 品牌:Philips/飛利浦 | 型號:PHW80NQ10T 80NQ10T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插
品牌:APT/上海二工 | 型號:APT5010LVR.APT10050LVR | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 產品性質:熱銷 | 集電極最大耗散功率PCM:350 | 功率特性:大功率 | 營銷方式:現貨 | 集電極最大允許電流ICM:28-50 | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:20 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:功率
≥5 PCS
￥17.00
應用范圍:高反壓 | 品牌:ON/安森美 | 型號:AO3405 SOT-23 MOS | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
≥100 PCS
￥0.30
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2308DS/大電流 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:硅(SI)
≥3000 個
￥0.22
封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 型號:FDP3632 | 材料:硅(SI) | 用途:A/寬頻帶放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型
≥50 個
￥3.50
品牌:華晶 | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:保護器件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)
≥50000 個
￥0.50
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:KTC3875 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.15 | 擊穿電壓VCBO:60 | 集電極最大允許電流ICM:0.15
應用范圍:功率 | 品牌:Zetex/捷特科 | 型號:FMMT718 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型
應用范圍:開關 | 品牌:SLT | 型號:50N06 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:180 | 集電極最大允許電流ICM:65 | 極性:NPN型 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是
≥100 PCS
￥1.25
應用范圍:開關 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF3205 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插
500-9999 PCS
￥1.50
≥10000 PCS
￥1.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1940 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:高壓 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:大電流 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:功率
≥1000 PCS
￥1.50