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- 大電流MOS管IPP034NE7N 75V100A
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP034NE7N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥100 個
  
  ￥0.85
- 詢價
- IPB08CN10N 100V 95A 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPB08CN10N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥3.50
- 詢價
- IPP015N04NG 40V 100A 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP015N04NG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥3.50
- 詢價
- BSC014N03MS G 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSC014N03MS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥1.00
- 詢價
- IPD038N06N3G 60V 90A 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPD038N06N3G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥3.50
- 詢價
- BSC030N04NSG 40V 100A 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSC030N04NSG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥1.00
- 詢價
- 進口IPP147N12N IPP147N12
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP147N12N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感
- ≥1 個
  
  ￥0.10
- 詢價
- 場效應(yīng)大電流SPW24N60C3/SPW24N60英飛凌
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPW24N60C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個
  
  ￥8.50
- 詢價
- 2014 產(chǎn)品大電流MOS管 H30T90
  
  類型:穩(wěn)壓IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H30T90 | 封裝:TO-247 | 批號:06+
- ≥10 PCS
  
  ￥4.00
- 詢價
- IPD30N03 TO-252封裝貼片30A電流 30V電壓英飛凌MOS管
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPD30N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥1 個
  
  ￥1.00
- 詢價
- 大電流場效應(yīng)管場效應(yīng)管IPU09N03
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPU09N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- 100-999 個
  
  ￥0.60
- ≥1000 個
  
  ￥0.55
- 詢價
- IPP260N06N3 260N06 英飛凌MOS大電流
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP230N06L3G 230N06L | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥5 個
  
  ￥0.10
- 詢價
- IPW60R199CP 6R199P 英飛凌MOS管小電流
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPW60R199CP 6R199P | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥6.70
- 詢價
- SPW47N60C3. 47N60C3 。600v47A大電流MOS管
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPW47N60C3.SPW47N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥2 個
  
  ￥7.10
- 詢價
- 場效應(yīng)MOS管078N12 ipp076N12控制器大電流專用
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:078N12 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | ·:·
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng) 大電流mos管控制器mos管
- ≥10 個
  
  ￥2.00
- 詢價
- 大電流MOS管場效應(yīng)管進口英飛凌IPB072N15N
  
  應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPB072N15N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-263
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to263場效應(yīng)管英飛凌mos管大電流mos管
- ≥100 PCS
  
  ￥2.50
- 詢價
- 貼片英飛凌場效應(yīng)管大電流 05N03LA IPD05N03LA
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:05N03LA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:.
- ≥100 個
  
  ￥0.60
- 詢價
- 大電流控制器場效應(yīng)管IPP120N06N 120N06
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP120N06N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 主要參數(shù):ID=75.0A， VDSS=60.0V， RDS(on)=12.0mΩ， PD=158.0W
- 500-999 個
  
  ￥0.22
- 1000-1999 個
  
  ￥0.20
- ≥2000 個
  
  ￥0.18
- 詢價
- 大電流MOS管場效應(yīng)管進口英飛凌IPP034N03N
  
  應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP034N03N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng) 英飛凌mos管大電流mos管
- ≥100 PCS
  
  ￥0.60
- 詢價
- 大電流MOS管場效應(yīng)管進口英飛凌IPP032N06N
  
  應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP032N06N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流mos管英飛凌mos管
- ≥100 PCS
  
  ￥0.90
- 詢價