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品牌:華瑞 | 型號:CEG8205A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:SW | 型號:SW740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ZET英國XETEX | 型號:ZXCT1009FTA | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 0:0

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP147N12N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感

品牌:AD | 型號:AD743 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感

品牌:國產 | 型號:8205A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPD30N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:SI | 型號:SI2300 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀

品牌:美格納 | 型號:MDP1991 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2308DS/大電流 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:硅(SI)

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT8G103 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:1

品牌:AO | 型號:AOB412L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BF998-NXP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STD30NF03LT4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR3808 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 跨導:5 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5

品牌:IR/國際整流器 | 型號:30EPF06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 跨導:5 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:55 | 最大耗散功率:5

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB3307 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:*

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4227 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 跨導:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4310 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 跨導:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*