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品牌:AOS(萬代） | 型號:AO4496 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:參考規格書 | 低頻噪聲系數:參考規格書 | 極間電容:參考規格書

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4406AL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:13000 | 開啟電壓:12 | 夾斷電壓:30

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4801A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個 P 溝道（雙） | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:5A | 開啟電壓:12V | 夾斷電壓:30V

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3438 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:3A | 開啟電壓:8V | 夾斷電壓:20V

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD606 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:穩壓IC | 品牌:AOS美國萬代 | 型號:AO8814 | 功率:0-100 | 封裝:TO/SO/SOT/SOP/ | 批號:12 13 14

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD606 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON4421 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD，扁平引線裸焊盤 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD408 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HG/高跨導 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 產品性質:新品 | 營銷方式:現貨 | 處理信號:模擬信號

建議零售價:¥0.60 | 類型:穩壓IC | 品牌:AOS | 型號:AO6602 | 功率:123 | 用途:功放 | 封裝:SOT | 批號:14

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD409 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:GS8822 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400/AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4468 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10500 | 開啟電壓:10 | 極間電容:112