品牌:AO/美國萬代 | 型號:AO3400 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:85000MA | 開啟電壓:25V | 夾斷電壓:30V
1-1 K
¥200.00
2-2 K
¥190.00
≥3 K
¥175.00
品牌:AO | 型號:AO4435A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.20
品牌:AO | 型號:AO3403 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.20
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.10
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3404 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 PCS
¥0.10
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.65A | 夾斷電壓:65V | 最大耗散功率:1400W
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物,MOSFET P 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:符合 | 批號:12+ | 封裝:SOT-23
1000-2999 個
¥0.03
3000-29999 個
¥0.02
≥30000 個
¥0.01
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3402 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:符合 | 批號:12+ | 封裝:SOT-23
100-2999 個
¥0.40
3000-29999 個
¥0.30
≥30000 個
¥0.20
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
1-999 個
¥0.30
1000-2999 個
¥0.20
≥3000 個
¥0.18
品牌:ALPHA/萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥10 個
¥0.10
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD448 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥0.60
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD472 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:邏輯IC | 批號:新年分 | 封裝:TO-252
≥500 千克
¥0.80
品牌:AO/美國萬代 | 型號:AO3415 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
3-11 K
¥220.00
12-29 K
¥215.00
≥30 K
¥205.00
類型:其他IC | 品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO8820 | 功率:符合 | 用途:廣泛運用 | 封裝:TSSOP8 | 批號:13+
10-2999 個
¥1.00
3000-29999 個
¥0.50
≥30000 個
¥0.49
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3424 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4468 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個
¥0.50
1000-2999 個
¥0.45
≥3000 個
¥0.40
品牌:AO | 型號:AO4414 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si) | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:SOP8
10-999 個
¥2.00
≥1000 個
¥1.50
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOZ8302CI-12 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥10 個
¥0.10
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7600 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.10