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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF19N20C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF19N20C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF12N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:25n120 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HRF3205 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:10N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD5N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD5N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF9N90CT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:VA/場輸出級 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:800 | 跨導:1 | 開啟電壓:900 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:7N60 SSS7N60B 全新原裝仙童場效應管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:- | 輸入電壓:- | 輸出電壓:-

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5000 | 跨導:- | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:- | 極間電容:- | 最大耗散功率:-

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF9N50C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N50C FQP5N60C 5N50 5N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 最大漏極電流:V | 跨導:D | 開啟電壓:V | 夾斷電壓:V | 低頻噪聲系數:VV | 極間電容:V | 最大耗散功率:V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4000 | 跨導:1 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:650 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:4000

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1000 | 跨導:1 | 開啟電壓:- | 夾斷電壓:- | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1000

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS8936S-NL | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N7002MTF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:22 | 擊穿電壓VCBO:22 | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:22 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:22 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:功率

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N80 FQP4N80 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 最大漏極電流:22 | 跨導:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22 | 低頻噪聲系數:22 | 極間電容:22 | 最大耗散功率:22

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDH40N60SMD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道