品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):TIP142TTU | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
￥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP6N80C 6N80C | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
￥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP2N60C 2N60C FQP2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
￥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):5Q1265RF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SB肖特基勢(shì)壘柵 | 跨導(dǎo):22 | 最大漏極電流:22 | 開(kāi)啟電壓:22 | 夾斷電壓:22 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:22 | 最大耗散功率:22
≥100 個(gè)
￥3.00
品牌:仙童 ST | 型號(hào):IRF630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1000 個(gè)
￥0.15
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
￥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):MJE13005 KSE13005 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 備注:1 | 產(chǎn)品類型:其他 | 是否進(jìn)口:是
≥10 千克
￥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF5N50C FQP5N60C 5N50 5N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 最大漏極電流:V | 跨導(dǎo):D | 開(kāi)啟電壓:V | 夾斷電壓:V | 低頻噪聲系數(shù):VV | 極間電容:V | 最大耗散功率:V
≥500 個(gè)
￥0.65