品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:TIP142TTU | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
￥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N90 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
10-99 個(gè)
￥3.00
≥100 個(gè)
￥2.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCA47N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1 個(gè)
￥42.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCA35N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1 個(gè)
￥31.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP6N80C 6N80C | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
￥0.01
品牌:仙童 | 型號:RHRP30120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號:2013 | 封裝:TO-220AC
≥5 個(gè)
￥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C 2N60C FQP2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
￥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:5L0365R 5M0365R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 產(chǎn)品類型:其他 | 針腳數(shù):- | 工作溫度范圍:-
≥10 個(gè)
￥2.50
品牌:仙童 ST | 型號:IRF630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1000 個(gè)
￥0.15
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGL160N60UFDTU | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:160 | 低頻噪聲系數(shù):160 | 極間電容:160
≥1 個(gè)
￥15.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N60C | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:22 | 跨導(dǎo):11 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數(shù):22 | 極間電容:11 | 最大耗散功率:8
≥100 個(gè)
￥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF8N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥100 個(gè)
￥2.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA12N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥100 個(gè)
￥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSH70N10A，SSH70N10，70N10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:標(biāo)準(zhǔn)
≥100 個(gè)
￥7.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
￥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDA50N50，50N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:標(biāo)準(zhǔn)
≥100 個(gè)
￥10.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA16N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應(yīng)用范圍:功率
≥50 千克
￥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGH20N60RUFDTU | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導(dǎo):33 | 最大漏極電流:33 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:33 | 低頻噪聲系數(shù):33 | 極間電容:33 | 最大耗散功率:33
≥1000 個(gè)
￥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FJP13009H2TU_F080 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
￥0.10