品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD3707 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:O/振蕩 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 備注:所有參數(shù)請詳詢
≥100 個
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS4559 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 備注:參數(shù)請詳詢
≥100 個
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQT5P10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥50 個
¥2.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA6N90 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1000 個
¥2.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:J112 | 種類:結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) | 溝道類型:頻道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 加工定制:否 | 應(yīng)用范圍:功率
≥4000 個
¥0.70
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:PN4392 | 種類:結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) | 溝道類型:頻道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 加工定制:否 | 應(yīng)用范圍:功率
≥4000 個
¥0.70
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS352P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-0.85A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
≥3000 個
¥0.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS352AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-0.9A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個
¥0.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS0610 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBFJ309LT1 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UHF/超高頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.85
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBFJ270 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P 溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.225W | 最大柵漏電壓VGDS:-30V | 漏極電流IDSS:-2~-15mA
≥3000 個
¥0.85
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBF5462 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P 溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.225W | 最大柵漏電壓VGDS:-40A | 漏極電流IDSS:-4~-16mA
≥3000 個
¥0.90
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN338P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-1.6A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
≥3000 個
¥0.43
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN352AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-1.3A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個
¥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDG326P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最大耗散功率Pd:0.75W | 最大漏極電流Id:-1.5A
≥3000 個
¥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC654P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.68
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC638P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-2.8A | 最大源漏電壓Vds:-20V
≥3000 個
¥0.68
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC634P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流Id:-3.5A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W
≥3000 個
¥0.55
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP3672 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 跨導(dǎo):22 | 最大漏極電流:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22 | 低頻噪聲系數(shù):22 | 極間電容:22 | 最大耗散功率:22
≥1 個
¥0.90
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS8433A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物,MOSFET P 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 批號:2010+ | 封裝:SOP8
1-49 個
¥1.20
50-99 個
¥1.00
≥100 個
¥0.80