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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD3707 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:O/振蕩 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 備注:所有參數(shù)請詳詢

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS4559 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 備注:參數(shù)請詳詢

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQT5P10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA6N90 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:J112 | 種類:結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） | 溝道類型:頻道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 加工定制:否 | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:PN4392 | 種類:結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） | 溝道類型:頻道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 加工定制:否 | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS352P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-0.85A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS352AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-0.9A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS0610 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBFJ309LT1 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UHF/超高頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBFJ270 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P 溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.225W | 最大柵漏電壓VGDS:-30V | 漏極電流IDSS:-2~-15mA

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBF5462 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P 溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.225W | 最大柵漏電壓VGDS:-40A | 漏極電流IDSS:-4~-16mA

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN338P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-1.6A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN352AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-1.3A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDG326P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最大耗散功率Pd:0.75W | 最大漏極電流Id:-1.5A

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC654P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC638P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-2.8A | 最大源漏電壓Vds:-20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC634P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流Id:-3.5A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP3672 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 跨導(dǎo):22 | 最大漏極電流:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22 | 低頻噪聲系數(shù):22 | 極間電容:22 | 最大耗散功率:22

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS8433A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物，MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 批號:2010+ | 封裝:SOP8