品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):全系列 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 產(chǎn)品類型:其他
1000-4999 個(gè)
￥0.50
5000-49999 個(gè)
￥0.49
≥50000 個(gè)
￥0.48
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA70N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):2011 | 封裝:TO-3P
≥5 個(gè)
￥0.10
類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):7N60 | 功率:1 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):14+ | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)
≥10 個(gè)
￥0.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):BF246B. | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 類型:其他IC | 批號(hào):來電查詢 | 封裝:TO-92
≥1000 個(gè)
￥2.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):5L0365R 5M0365R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 產(chǎn)品類型:其他 | 針腳數(shù):- | 工作溫度范圍:-
≥10 個(gè)
￥2.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD6030BL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他 | 批號(hào):2014+ | 封裝:SOT252
≥1000 個(gè)
￥0.35
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF7N65C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他 | 批號(hào):2013+ | 封裝:TO-220F
≥1000 個(gè)
￥1.10
類型:其他IC | 品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號(hào):5N60 | 封裝:TO-251 | 批號(hào):最新年份
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDV301N/FDV302P/FDV303N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 類型:其他IC | 批號(hào):以實(shí)物為準(zhǔn) | 封裝:sot23
10-2999 個(gè)
￥0.50
≥3000 個(gè)
￥0.16
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC
100-999 個(gè)
￥0.40
≥1000 個(gè)
￥0.38
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FSDH321 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號(hào):10+ | 產(chǎn)品類型:其他 | 封裝:DIP-8
1000-1999 個(gè)
￥0.90
≥2000 個(gè)
￥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDS8433A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物，MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):2010+ | 封裝:SOP8
1-49 個(gè)
￥1.20
50-99 個(gè)
￥1.00
≥100 個(gè)
￥0.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF3N80C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:** | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:** | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:** | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 應(yīng)用范圍:開關(guān)
≥10000 PCS
￥1.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA13N80C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:** | 跨導(dǎo):** | 開啟電壓:** | 夾斷電壓:** | 低頻噪聲系數(shù):** | 極間電容:** | 最大耗散功率:** | 應(yīng)用范圍:放大
≥1000 個(gè)
￥8.00
類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):5N60 | 處理器速度:22 | 存儲(chǔ)容量:22 | 電源電流:22 | 電源電壓:22 | 功率:22 | 頻率:22 | 驅(qū)動(dòng)芯片類型:22 | 針腳數(shù):3 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:TO220 | 批號(hào):新年份 | 最大漏極電流:22 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數(shù):22
≥1 個(gè)
￥0.70
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):STP3NB60FP | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:2 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1 PCS
￥2.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP50N06 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:50 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:60 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1 PCS
￥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP13N50C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 應(yīng)用范圍:放大
≥10 PCS
￥2.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA9N90 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:9 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:900 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1 PCS
￥3.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP2N60C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:600 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:600 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1 PCS
￥1.70