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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA140N10 140N10 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 跨導:23 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:22

品牌:仙童 | 型號:RHRP30120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號:2013 | 封裝:TO-220AC

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KSC5803 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:FQP8N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDV303N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10 | 跨導:10 | 開啟電壓:25 | 夾斷電壓:25 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:100

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:RFP70N03 SUP70N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:3 | 夾斷電壓:3 | 最大耗散功率:5

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:75N08 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:*

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD5N60C? | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:5N60 | 處理器速度:22 | 存儲容量:22 | 電源電流:22 | 電源電壓:22 | 功率:22 | 頻率:22 | 驅動芯片類型:22 | 針腳數:3 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 最大漏極電流:22 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數:22

品牌:IR.SEC.仙童 | 型號:IRF73.IRF730A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF840N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:2-4 | 最大耗散功率:125

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10A | 開啟電壓:2-4 | 最大耗散功率:125

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:BF1212WR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP2532 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:3 | 夾斷電壓:3 | 最大耗散功率:5

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD8880 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FSFR1700 FSFR1800 FSFR2100 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:SIP

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN327，FDN335，FDN337，FDN336P，FDN338P，FDN339AN，FDN3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N50C FQP5N60C 5N50 5N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 最大漏極電流:V | 跨導:D | 開啟電壓:V | 夾斷電壓:V | 低頻噪聲系數:VV | 極間電容:V | 最大耗散功率:V