品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA13N80C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:** | 跨導(dǎo):** | 開啟電壓:** | 夾斷電壓:** | 低頻噪聲系數(shù):** | 極間電容:** | 最大耗散功率:** | 應(yīng)用范圍:放大
≥1000 個(gè)
￥8.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA24N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥3000 個(gè)
￥5.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):10N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥1000 個(gè)
￥1.20
品牌:IR.SEC.仙童 | 型號(hào):IRF73.IRF730A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥500 個(gè)
￥0.45
品牌:仙童 | 型號(hào):2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥1000 個(gè)
￥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDS6676S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 功率:w | 批號(hào):以實(shí)物為準(zhǔn) | 封裝:SOIC8
10-499 個(gè)
￥1.50
≥500 個(gè)
￥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDS8936A-NL | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
10-999 個(gè)
￥1.50
≥1000 個(gè)
￥1.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP6N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
1-99 個(gè)
￥2.00
100-999 個(gè)
￥1.80
≥1000 個(gè)
￥1.40