品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD8444 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個
￥1.50
≥100 個
￥0.90
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBF5462 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P 溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.225W | 最大柵漏電壓VGDS:-40A | 漏極電流IDSS:-4~-16mA
≥3000 個
￥0.90
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN352AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:-1.3A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個
￥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC654P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
￥0.68
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC638P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-2.8A | 最大源漏電壓Vds:-20V
≥3000 個
￥0.68
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N90C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4000 | 跨導(dǎo):3.5 | 開啟電壓:900 | 夾斷電壓:30 | 低頻噪聲系數(shù):450 | 極間電容:960 | 最大耗散功率:140
≥1000 個
￥2.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF7N65C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他 | 批號:2013+ | 封裝:TO-220F
≥1000 個
￥1.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:10N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
￥0.90