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品牌:ON安森美 | 型號:MBR30100 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 產品類型:肖特基管 | 針腳數:5 | 工作溫度范圍:5

加工定制:是 | 品牌:JST | 型號:18650 | 配件名稱:保護板 | 額定電壓:4.2 | 產品認證:CE

加工定制:是 | 品牌:JST | 型號:18650 | 配件名稱:18650 雙MOS精工保護板，鋼片鏡面保護板 | 額定電壓:4.2 | 產品認證:CE

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:FU9210 | 功率:5 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝:SOT-252 | 批號:12NPB | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET)

品牌:IR/國際整流器 | 型號:FU9110 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STD150NH02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST | 型號:STP6NC60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDB8896 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPU09N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:SI2305 | 封裝形式:SOT23

品牌:華天微 | 型號:RX50N06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:華天微 | 型號:RX110N06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:華天微 | 型號:T120N10 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:SI | 型號:SI2300 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀

品牌:華晶 | 型號:CS1N60A3H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:最新 | 封裝:TO252，TO92，TO251

加工定制:是 | 品牌:XSY | 型號:XSY-3840 | 額定電壓:3.7V | 產品認證:ROHS

品牌:其他 | 型號:ME9926 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:SIT靜電感應

加工定制:是 | 品牌:XSY | 型號:XSY-5236 | 額定電壓:3.7V