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加工定制:是 | 品牌:富鼎成科技 | 型號:18650組合保護板 | 配件名稱:保護板 | 額定電壓:7.4-11.1V | 產品認證:ROHS

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3713 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:ST/意法 | 型號:IRF640 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:6* | 截止頻率fT:+-

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1010E | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:美格納 | 型號:MDP1991 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感

應用范圍:高反壓 | 品牌:ON/安森美 | 型號:AO3405 SOT-23 MOS | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

品牌:國產正品 | 型號:3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 備注:5.8A 30V | 年份:2012

品牌:ST/意法 | 型號:P75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 封裝形式:TO-220 | 應用范圍:功率

品牌:AO | 型號:AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4212 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4710 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP230N06L3G 230N06L | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPW60R199CP 6R199P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:銳駿 | 型號:大功率大電流MOSFET | 功率:+ | 用途:儀器 | 封裝:TO247 TO-3P | 批號:1232