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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF1407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:國產 | 型號:9926A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1404 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST，仙童 | 型號:5N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TK15A60U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK2749 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:DFN5X6 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 批號:13+ | 封裝:DFN5X6 | 應用范圍:其他

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK2376 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AO | 型號:AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:DTU | 型號:DTU40N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:TO-252 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFS4321PBF IRFS4410 IRFS450 IRFS4610 IRFS4710 IRF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | .:.

品牌:搏力 | 型號:ZX7-400 | 工作形式:逆變焊 | 焊接方式:儲能式 | 電流:直流 | 樣式:便攜式 | 驅動形式:電動 | 保護氣體類型:無 | 作用對象:金屬 | 動力形式:電焊 | 電流調節范圍:20-315 | 適用對象:低碳鋼，中碳鋼及合金鋼等金屬

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT8G103 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:1

類型:驅動IC | 品牌:德信EUTECH | 型號:EUP3467 | 封裝:SOP-8 (EP) | 批號:14+

品牌:AO | 型號:AOB412L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:Si4196DY-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 類型:Si4196DY-T1-E3 | 批號:13+ | 封裝:SOP-8

品牌:Samsung/三星 | 型號:10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:- | 低頻噪聲系數:- | 低頻跨導:-

封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 型號:FDP3632 | 材料:硅(SI) | 用途:A/寬頻帶放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:國產新 | 型號:FP3205 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC3601N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道