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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP450 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:SDTGW | 開啟電壓:FFT | 夾斷電壓:FDGE | 低頻噪聲系數:DSSF | 極間電容:FSDRT | 最大耗散功率:SDG

品牌:ADV美國先進半導體 | 型號:IRFP360 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IRFP250 | 型號:IRFP250 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:30 | 開啟電壓:200 | 夾斷電壓:200 | 低頻噪聲系數:+- | 極間電容:+- | 最大耗散功率:+-

品牌:日本鼎日 | 型號:DTS6400GCTR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPT004N03L IPT007N06N | 功率:1 | 用途:儀器 | 特色服務:A | 封裝:HSOF-8 | 批號:15

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPB147N03L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:長電 | 型號:SI2302 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TPCA8012-H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:CM | 型號:CM6502 | 功率:5V/5A | 封裝:SOP8 | 批號:2015+

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TPCA8065-H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:SI2305 | 封裝形式:SOT23

應用范圍:振蕩 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3356 R25 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

類型:穩壓IC | 品牌:TPC | 型號:TPC8109 | 功率:123 | 用途:功放 | 封裝:SOP8 | 批號:14

應用范圍:復合 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:三四五六七端穩壓IC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220/TO220FTO-3P/TO-247

品牌:華天微 | 型號:RX50N06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:華天微 | 型號:RX110N06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:華天微 | 型號:T120N10 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:新功率 | 型號:NCE80H11 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:電源模塊 | 品牌:CXW | 型號:CX5692 | 功率:20W | 封裝:SOP8 | 批號:2015+