品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB3077PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥2.00
品牌:泉芯 | 型號(hào):QX9920 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:SOT23-6 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥1000 個(gè)
￥0.10
品牌:ST/意法 | 型號(hào):IRF640 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:6* | 截止頻率fT:+-
≥20000 個(gè)
￥0.27
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AON6504 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途
1-99 個(gè)
￥1.00
≥100 個(gè)
￥0.85
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON | 型號(hào):NTB18N06LT4G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO263
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FAI | 型號(hào):SSU1N50B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO251
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INTERSIL | 型號(hào):RFD15P05SM9A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO252
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON | 型號(hào):NTD4302T4 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO252
≥50 個(gè)
￥2.10
≥100 個(gè)
￥0.40
≥100 個(gè)
￥0.35
≥50 個(gè)
￥0.40
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST | 型號(hào):STB70NF03L | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO263
≥100 PCS
￥1.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:AP | 型號(hào):AP70T03H | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO252
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:MOT | 型號(hào):MTD20P06HDLT4 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO252
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:F | 型號(hào):FQB34N20 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO263
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON | 型號(hào):MTD20P03HDLT4 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO252
≥50 個(gè)
￥1.88
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AON6718L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
10-2999 個(gè)
￥0.65
≥3000 個(gè)
￥0.60
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:VISHAY | 型號(hào):SUM55P06-19L-E3 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO263
≥100 PCS
￥1.00