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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60J323 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2611 2SK2611 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:11 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K4107 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:功放 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷

種類:場效應管 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2698

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK209-Y | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:... | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:...

種類:場效應管 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1486

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:東芝TOSHIBA | 用途:DIFF/差分放大 | 最大漏極電流:- | 跨導:- | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:- | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:- | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:- | 極間電容:- | 最大耗散功率:-

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1487 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K12A60U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3567 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3567 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3566 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3564 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3564 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 批號:12+原裝ROHS | 是否提供加工定制:是 | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5G09TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3563 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TOSHIBA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC8040-H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:SOp8

種類:場效應管 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4107