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產品類型:整流管 | 是否進口:否 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:IN4001 | 材料:硅(SI) | 封裝:SMA | 工作溫度范圍:85（℃） | 功耗:0.5W | 針腳數:2 | 批號:2013 | 備注:8pF @ 4V， 1MHz | 用途:DIODE GP 1A 50V SOD-123 | 主要參數:50V 1A

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3878代替2SK2611 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:原廠規格 | 跨導:原廠規格 | 開啟電壓:原廠規格 | 夾斷電壓:原廠規格 | 低頻噪聲系數:原廠規格 | 極間電容:原廠規格 | 最大耗散功率:原廠規格

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3569 SC-67 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2231 2-7J1B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2173 SC-65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1542 TO-220AB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1365 2-16F1B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1359 2-16C1B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3416 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2615 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1527 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4107 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2543，2SK2543 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K525，2SK525 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3869 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2232，2SK2232 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 跨導:/ | 最大漏極電流:/ | 開啟電壓:/ | 夾斷電壓:/ | 低頻噪聲系數:/ | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/

種類:場效應管 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4115

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2996，2SK2996 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 跨導:/ | 最大漏極電流:/ | 開啟電壓:/ | 夾斷電壓:/ | 低頻噪聲系數:/ | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:FQU10N20L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3562 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體