免费欧美网站_国产精品成熟老女人_一区二区国产精品视频_欧美野外猛男的大粗鳮_97神马电影_色就是色欧美_免费一区二区三区在线观看_国产精品熟女一区二区不卡_国产又粗又黄又猛_真实乱视频国产免费观看

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:10N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP7N80C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:22 | 跨導:11 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:22 | 極間電容:11 | 最大耗散功率:8

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA24N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-3P

品牌:IR.SEC.仙童 | 型號:IRF73.IRF730A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:仙童 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF840N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:2-4 | 最大耗散功率:125

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDA24N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10A | 開啟電壓:2-4 | 最大耗散功率:125

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:600 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:600 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:BF1212WR | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF13N50C | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:13 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:500 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP2532 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:3 | 夾斷電壓:3 | 最大耗散功率:5

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSH45N20A | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:800 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:4 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:12N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:1000 | 集電極最大允許電流ICM:12 | 封裝形式:直插型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP8447L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:14 | 跨導:1 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:4.5 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:20