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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:C5042F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 應用范圍:振蕩

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:仙童 ST | 型號:IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N90C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4000 | 跨導:3.5 | 開啟電壓:900 | 夾斷電壓:30 | 低頻噪聲系數:450 | 極間電容:960 | 最大耗散功率:140

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP3672 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 跨導:22 | 最大漏極電流:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22 | 低頻噪聲系數:22 | 極間電容:22 | 最大耗散功率:22

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:FQPF9N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD6030BL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他 | 批號:2014+ | 封裝:SOT252

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF7N65C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他 | 批號:2013+ | 封裝:TO-220F

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC604P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流Id:-5.5A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W

類型:其他IC | 品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:5N60 | 封裝:TO-251 | 批號:最新年份

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:原廠規格 | 低頻噪聲系數:原廠規格 | 極間電容:原廠規格

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQB7N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQB12N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | .:.

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDV301N/FDV302P/FDV303N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:sot23

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP7N80C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCPF11N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 跨導:22 | 最大漏極電流:22 | 開啟電壓:22

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP13N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:放大

品牌:仙童 ST | 型號:SSP6N60 P60nc60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:6a | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGL60N100BNTD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP12N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:12 | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準