品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP6N80C 6N80C | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
¥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF840B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個(gè)
¥0.42
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FD6M016N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SGH40N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個(gè)
¥2.80
5000-9999 個(gè)
¥2.75
≥10000 個(gè)
¥2.70
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SGH15N60RUFD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
1000-4999 個(gè)
¥1.50
5000-9999 個(gè)
¥1.45
≥10000 個(gè)
¥1.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):RHRP15120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1000-4999 個(gè)
¥1.20
5000-9999 個(gè)
¥1.10
≥10000 個(gè)
¥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP9N25C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個(gè)
¥0.50
5000-9999 個(gè)
¥0.49
≥10000 個(gè)
¥0.48
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):全系列 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 產(chǎn)品類型:其他
1000-4999 個(gè)
¥0.50
5000-49999 個(gè)
¥0.49
≥50000 個(gè)
¥0.48
品牌:仙童 | 型號(hào):RHRP30120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號(hào):2013 | 封裝:TO-220AC
≥5 個(gè)
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA70N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):2011 | 封裝:TO-3P
≥5 個(gè)
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):KA33VTA | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SIT靜電感應(yīng)
≥1000 個(gè)
¥0.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP2N60C 2N60C FQP2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
¥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個(gè)
¥0.40
1-999 個(gè)
¥1.00
1000-9999 個(gè)
¥0.65
≥10000 個(gè)
¥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD8444 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
¥1.50
≥100 個(gè)
¥0.90
類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):7N60 | 功率:1 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):14+ | 封裝外形:LLCC/無(wú)引線陶瓷片載 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)
≥10 個(gè)
¥0.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF7N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個(gè)
¥0.40
品牌:Federick美國(guó) | 型號(hào):FQP50N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.1 | 開(kāi)啟電壓:2 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:1
≥1 K
¥1.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF2N60C 2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
¥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):100 | 開(kāi)啟電壓:60 | 夾斷電壓:60
≥10 個(gè)
¥0.50