品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):NDP7060.NDP6060 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:70 | 跨導(dǎo):2 | 開啟電壓:60 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:2 | 最大耗散功率:150
≥2 個(gè)
￥1.80
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號(hào):SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無(wú)引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)
1-999 個(gè)
￥0.80
≥1000 個(gè)
￥0.50
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
10-199 個(gè)
￥0.60
≥200 個(gè)
￥0.40
品牌:美格納 | 型號(hào):MDF2N60TH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
品牌:TRUESEMI/信安 | 型號(hào):TSU2N60M | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
￥0.69
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號(hào):SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號(hào):11+ | 封裝:TO-220F
品牌:臺(tái)灣UTC | 型號(hào):UTC2N60 | 溝道類型:其他 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:0.1 | 功率:2安培600V | 批號(hào):12+ | 低頻噪聲系數(shù):0.1 | 封裝:TO-251 TO-252
≥100 個(gè)
￥0.70
品牌:KEC | 型號(hào):KHB2D0N60P | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 是否進(jìn)口:是 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23 | 應(yīng)用范圍:放大 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:10 | 產(chǎn)品類型:TO-220AB | 封裝材料:金屬封裝
≥1000 PCS
￥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):D480 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5
≥50 個(gè)
￥0.01
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si) | 營(yíng)銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
￥1.60
品牌:ST/三星 | 型號(hào):2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
￥0.20
品牌:士蘭微全系列MOS | 型號(hào):SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):13+ | 封裝:TO-220
1000-5000 個(gè)
￥0.80
5001-9999 個(gè)
￥0.78
≥10000 個(gè)
￥0.75