品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDP7060.NDP6060 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:70 | 跨導:2 | 開啟電壓:60 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數:2 | 極間電容:2 | 最大耗散功率:150
≥2 個
¥1.80
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準
1-999 個
¥0.80
≥1000 個
¥0.50
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
10-199 個
¥0.60
≥200 個
¥0.40
品牌:美格納 | 型號:MDF2N60TH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
品牌:TRUESEMI/信安 | 型號:TSU2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥0.69
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號:11+ | 封裝:TO-220F
品牌:臺灣UTC | 型號:UTC2N60 | 溝道類型:其他 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:0.1 | 功率:2安培600V | 批號:12+ | 低頻噪聲系數:0.1 | 封裝:TO-251 TO-252
≥100 個
¥0.70
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:D480 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5
≥50 個
¥0.01
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si) | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC
≥1 個
¥1.60
品牌:ST/三星 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥0.20
品牌:士蘭微全系列MOS | 型號:SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:13+ | 封裝:TO-220
1000-5000 個
¥0.80
5001-9999 個
¥0.78
≥10000 個
¥0.75