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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK940，K940 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | .:.

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2312 2SK2312 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 擊穿電壓VCBO:60V | 集電極最大允許電流ICM:45A | 封裝形式:直插型

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2544 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:1 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK2P60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1