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品牌:英飛菱 | 型號:SPW47N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:英飛菱 | 型號:SPD2N60S5正品 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXSP20N60B2D1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:CM2N60 DFF2N60 P2N60 CEP02N6 SSP2N60A 02N60P SSP2N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:SSP2N60B | 溝道類型:其他 | 用途:儀器 | 類型:其他IC | 批號:2011+原裝ROHS | 封裝:TO-220

品牌:TRUESEMI | 型號:TSP/F2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSP2N60B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPP07N60C2 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:SSP2N60B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:KXY | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝外形2:TO-252