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品牌:ST/意法 | 型號:STW25NM50N，STW25NM60N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 材料:N-FET硅N溝道 | 1:2

品牌:ST/意法 | 型號:STQ2NK60ZR-AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:ST/意法 | 型號:STQ2HNK60ZR-AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:ST/意法 | 型號:STW30NM60D2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STD3NK60Z-2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STW24N60M2 | 功率:原廠規格 | 用途:其他 | 封裝:TO247 | 批號:新年份環保無鉛

品牌:ST/意法 | 型號:3N60 | 溝道類型:其他 | 用途:. | 備注:. | 產品類型:TO-252/TO-251 | 是否進口:是 | 主要參數:. | 是否提供加工定制:否

品牌:ST/意法 | 型號:STD2HNK60Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:ST/意法 | 型號:STB11NM60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:11000 | 跨導:0 | 開啟電壓:650 | 夾斷電壓:0 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0 | 最大耗散功率:160W

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STB10NK60Z | 功率:- | 用途:L/功率放大 | 封裝:TO-263 | 批號:2012 | 最大漏極電流:10000 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數:0

品牌:ST/意法 | 型號:STD60NF55D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:2N60 1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:ST/意法 | 型號:STB65NM60N /STB65NM60N TO-220/FP/247 D2PAK I2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 控制方式:其他 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:ST/意法 | 型號:STGP10NB60S/FP STGB10NB60S TO-220/FP D2PAK | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 控制方式:其他 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:ST/意法 | 型號:STD2NB60-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:2600 | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:600 | 最大耗散功率:50000

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STD2NC60 | 用途:S/開關 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:1 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:ST/意法 | 型號:STD2HNK60Z-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道