品牌:FUJI/富士通 | 型號:FS14SM-18A G40N60UFD 2SK2371 2SK2677 2SK2197 2SK2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 跨導:薄利多銷 量大價優 | 開啟電壓:實體店現貨經營 | 夾斷電壓:貨源充足 質量保證 | 低頻噪聲系數:IRF841 IRF540 | 極間電容:IRFZ24N IRFZ34N
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460Z | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:40 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數:2 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:460
≥100 個
￥2.60
品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK2113 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體
≥3000 個
￥0.60
品牌:ST/意法 | 型號:STB11NM60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:11000 | 跨導:0 | 開啟電壓:650 | 夾斷電壓:0 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0 | 最大耗散功率:160W
品牌:TRUESEMI/信安 | 型號:TSD2N60M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:MES金屬半導體
≥100 個
￥0.74
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1 個
￥1.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2312 2SK2312 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 擊穿電壓VCBO:60V | 集電極最大允許電流ICM:45A | 封裝形式:直插型
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSP2N60B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1 個
￥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP038AN06A0 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:80 | 跨導:1 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:2
≥1000 個
￥13.50
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPP07N60C2 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1 個
￥1.00