品牌:ST/意法 | 型號:STW30NM60D2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥6.00
類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STW24N60M2 | 功率:原廠規(guī)格 | 用途:其他 | 封裝:TO247 | 批號:新年份環(huán)保無鉛
10-99 PCS
￥10.00
≥100 PCS
￥9.70
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-999 個
￥0.60
≥1000 個
￥0.50
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)
1-999 個
￥0.80
≥1000 個
￥0.50
品牌:TRUESEMI/信安 | 型號:TSD2N60M | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥100 個
￥0.74
品牌:IR/國際整流器 | 型號:場效應(yīng) | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥500 個
￥0.80