品牌:UTC/友順 | 型號(hào):4N60-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:1
≥2000 個(gè)
¥0.80
種類:場(chǎng)效應(yīng)管 | 品牌:臺(tái)灣友順UTC | 型號(hào):UTC 2N60
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L-B-TM3-T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 類型:其他IC | 批號(hào):12+ | 封裝:TO-251
≥10 個(gè)
¥0.60
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):大量備貨2N60L | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號(hào):2011+ | 封裝:原廠原裝
≥1 PCS
¥0.24
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60 TO-251 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2000 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:6.5
≥1000 個(gè)
¥0.62
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
2500-24999 個(gè)
¥0.78
≥25000 個(gè)
¥0.77
類型:其他IC | 品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60LL | 用途:儀器 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):2013+ | 是否提供加工定制:否
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號(hào):2013+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-252
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 類型:其他IC | 批號(hào):2012+ | 封裝:TO-251
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道
≥2500 個(gè)
¥0.70
品牌:臺(tái)灣UTC | 型號(hào):UTC2N60 | 溝道類型:其他 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:0.1 | 功率:2安培600V | 批號(hào):12+ | 低頻噪聲系數(shù):0.1 | 封裝:TO-251 TO-252
≥100 個(gè)
¥0.70
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
1000-9999 個(gè)
¥1.00
≥10000 個(gè)
¥0.88
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥2500 個(gè)
¥0.75
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
1000-3999 個(gè)
¥0.84
≥4000 個(gè)
¥0.80
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
1000-1999 個(gè)
¥0.98
≥2000 個(gè)
¥0.97