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品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60D | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-252

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:TO220/TO251

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C FQP2N60 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 產(chǎn)品類型:穩(wěn)壓管 | 封裝材料:塑料封裝

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:1N60 2N60 3N60 4N60 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:4 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:600 | 應用范圍:放大

應用范圍:開關 | 品牌:AOKE | 型號:2N60 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 截止頻率fT:1 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:開關 | 品牌:AOKE | 型號:2N60 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-251 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:600

品牌:SI | 型號:SI2308 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:sot-23

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:驅(qū)動IC | 品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60M | 封裝:TO | 批號:11+

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:11+ | 封裝:TO220

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數(shù):標準 | 極間電容:標準

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 批號:15+ | 是否提供加工定制:是 | 封裝:TO-220

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號:11+ | 封裝:TO-220F

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2.0 | 開啟電壓:220 | 夾斷電壓:600 | 極間電容:420 | 最大耗散功率:0.22

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:svd2n60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:10 | 封裝:TO220F TO220

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60C2 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:5 | 擊穿電壓VCBO:600 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:20 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大

品牌:KEC | 型號:KHB2D0N60P | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 是否進口:是 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23 | 應用范圍:放大 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:10 | 產(chǎn)品類型:TO-220AB | 封裝材料:金屬封裝

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si) | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC