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品牌:國產(chǎn) | 型號:2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU2N60C/FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STQ2NK60ZR-AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:ST/意法 | 型號:STQ2HNK60ZR-AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:13+ | 封裝:TO-220

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+只做原裝 全新環(huán)保 | 產(chǎn)品類型:其他 | 封裝:TO251

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:華晶 | 型號:CS2N60A3H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2 | 開啟電壓:600 | 最大耗散功率:35

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXY美國電報半導(dǎo)體 | 型號:IXGH50N60B | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)

品牌:FSC仙童 | 型號:FQD2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 批號:12+ | 產(chǎn)品類型:其他 | 封裝:TO-252

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDP7060.NDP6060 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:70 | 跨導(dǎo):2 | 開啟電壓:60 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:2 | 最大耗散功率:150

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH60N60 FGH60N60SFTU 60N60SF | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 最大漏極電流:22 | 跨導(dǎo):22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:22 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:22 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):22 | 極間電容:2 | 最大耗散功率:22

品牌:進(jìn)口原裝 | 型號:2N60，4N60， 5N60，10N60，12N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 跨導(dǎo):22 | 開啟電壓:332 | 夾斷電壓:22

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:K40T120 K40T1202 IKW40N120T2 35N60C3 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)