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種類:場效應(yīng)管 | 品牌:臺灣友順UTC | 型號:UTC 2N60

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGR3B60KD2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK940，K940 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | .:.

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:TO220/TO251

品牌:華晶 | 型號:CS2N60 TO-252 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀

品牌:FUJI/富士通 | 型號:FS14SM-18A G40N60UFD 2SK2371 2SK2677 2SK2197 2SK2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 跨導(dǎo):薄利多銷 量大價優(yōu) | 開啟電壓:實體店現(xiàn)貨經(jīng)營 | 夾斷電壓:貨源充足 質(zhì)量保證 | 低頻噪聲系數(shù):IRF841 IRF540 | 極間電容:IRFZ24N IRFZ34N

品牌:松木 | 型號:ME2N7002E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.115A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460Z | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:40 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:460

品牌:華晶 | 型號:CS2N60A3H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2 | 開啟電壓:600 | 最大耗散功率:35

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RHP020N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:HJ/華昕 | 型號:H2N7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:200mW | 最大漏極電流ID:200mA | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L-B-TM3-T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-251

品牌:SEMIHOW | 型號:HFU2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1.8A | 夾斷電壓:30 | 極間電容:340

品牌:KIA | 型號:KIA2N60HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2A | 跨導(dǎo):10S | 極間電容:330

類型:其他IC | 品牌:MAGNACHIP美格納 | 型號:MDP2N60TH | 封裝:TO-220 | 批號:12+

品牌:MAGNA | 型號:MDF2N60TH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220F