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品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號:2013+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-252

品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 類型:其他IC | 批號:2012+ | 封裝:TO-251

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSU2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:比亞迪 | 型號:BF92N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:其他 | 型號:FQPF2N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:其他 | 型號:FQP2N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:其他 | 型號:FQU2N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:其他 | 型號:FQD2N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSR2N60A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Zetex/捷特科 | 型號:2N7002TA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.115A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 產品類型:其他

品牌:DE | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK1697EY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SUO | 型號:4N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:WINSEMI | 型號:WFU2N60B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:VA/場輸出級 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道