品牌:NXP/恩智浦 | 型號(hào):2N7002/G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.115A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個(gè)
￥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQD2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 熱銷:現(xiàn)貨
≥2500 個(gè)
￥0.60
品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):1N60，2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
￥0.45
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2312 2SK2312 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 擊穿電壓VCBO:60V | 集電極最大允許電流ICM:45A | 封裝形式:直插型
≥1000 個(gè)
￥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SSP2N60B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥1 個(gè)
￥1.00
品牌:KEC | 型號(hào):KHB2D0N60P | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 是否進(jìn)口:是 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23 | 應(yīng)用范圍:放大 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:10 | 產(chǎn)品類型:TO-220AB | 封裝材料:金屬封裝
≥1000 PCS
￥0.10
類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2544 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:1 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1000 個(gè)
￥0.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):2N60 | 溝道類型:其他 | 類型:穩(wěn)壓IC | 批號(hào):12+ | 封裝:TO251-3
≥1 PCS
￥0.10
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥2500 個(gè)
￥0.75
產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):HFA08TB60S D2APK | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥1 個(gè)
￥0.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):D480 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5
≥50 個(gè)
￥0.01
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXGH60N60C2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si) | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
￥1.60
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB65NM60N /STB65NM60N TO-220/FP/247 D2PAK I2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢(shì)壘柵 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 控制方式:其他 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1 個(gè)
￥1.80
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STGP10NB60S/FP STGB10NB60S TO-220/FP D2PAK | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 控制方式:其他 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥100000 個(gè)
￥3.80
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
1000-3999 個(gè)
￥0.84
≥4000 個(gè)
￥0.80
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
1000-1999 個(gè)
￥0.98
≥2000 個(gè)
￥0.97
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-1999 個(gè)
￥1.40
≥2000 個(gè)
￥1.38
品牌:士蘭/仙童 | 型號(hào):SVD2N60 SVD2N60D SVD2N60F | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):2010 | 封裝:TO-252/TO-220F/TO-251
≥1 個(gè)
￥0.10