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品牌:ST/意法 | 型號:3N60 | 溝道類型:其他 | 用途:. | 備注:. | 產(chǎn)品類型:TO-252/TO-251 | 是否進口:是 | 主要參數(shù):. | 是否提供加工定制:否

品牌:進口原裝 | 型號:2N60，4N60， 5N60，10N60，12N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 跨導(dǎo):22 | 開啟電壓:332 | 夾斷電壓:22

產(chǎn)品類型:整流管 | 是否進口:是 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IKW50N60 | 材料:鍺(Ge) | 封裝:TO-220 | 功耗:11 | 針腳數(shù):3 | 批號:2013 | 類型:其他IC | 功率:11

品牌:進口 | 型號:1N60，2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):. | 最大漏極電流:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:進口 | 型號:1N60，2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:KEC | 型號:KHB2D0N60P | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 是否進口:是 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23 | 應(yīng)用范圍:放大 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:10 | 產(chǎn)品類型:TO-220AB | 封裝材料:金屬封裝

品牌:進口 | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:進口 | 型號:2N60，3N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:/ | 跨導(dǎo):/ | 開啟電壓:/ | 夾斷電壓:/ | 低頻噪聲系數(shù):/ | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 產(chǎn)品類型:功率二極管 | 是否進口:是 | 加工定制:否

品牌:品牌：進口和國產(chǎn) | 型號:FQP2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | FQP2N60:2A 600V 品牌：進口和國產(chǎn)