品牌:ST/意法 | 型號:STD2HNK60Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準
≥10 個
￥2.00
品牌:UTC/友順 | 型號:2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
2500-24999 個
￥0.78
≥25000 個
￥0.77
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:K40T120 K40T1202 IKW40N120T2 35N60C3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準
品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:FQP2N60C | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 輸入電壓:* | 批號:12+ | 產品類型:其他
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:LS （英飛凌和LG合資） | 型號:LUF200D60C2 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥10 個
￥86.00
品牌:ST/意法 | 型號:STB11NM60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:11000 | 跨導:0 | 開啟電壓:650 | 夾斷電壓:0 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0 | 最大耗散功率:160W
類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STB10NK60Z | 功率:- | 用途:L/功率放大 | 封裝:TO-263 | 批號:2012 | 最大漏極電流:10000 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數:0
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD2N60C/FQU2N60C I/D-PAK | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥1 個
￥1.00
品牌:其他 | 型號:SVF2N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 最大漏極電流:0 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0
類型:驅動IC | 品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60M | 封裝:TO | 批號:11+
≥1 PCS
￥0.62
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:11+ | 封裝:TO220
≥1 個
￥0.10
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK4145 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
￥0.17
品牌:BYD | 型號:BF92N60T(TO-252) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:Calogic美國 | 型號:FQPF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥50 個
￥0.90
類型:其他IC | 品牌:UTC/友順 | 型號:2N60LL | 用途:儀器 | 封裝:TO-220 | 批號:2013+ | 是否提供加工定制:否