品牌:ST/意法 | 型號:TDA2003A | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 控制方式:其他 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:高反壓
≥1000 個
￥1.60
品牌:ST/意法 | 型號:STE53NA50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥1 個
￥0.60
品牌:ST/意法 | 型號:TDA2050A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 關斷速度:高頻(快速) | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝
≥2000 個
￥2.40
品牌:ST/意法 | 型號:PSMN4R5-40PS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:96A ， 80A | 開啟電壓:4 ， 4.2 | 極間電容:3300
品牌:ST/意法 | 型號:STD5NM50-1，TO-251，ST，DIP/MOS，N場，500V，7.5A，0.8Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:7.5A | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:30 | 極間電容:415 | 最大耗散功率:100W
品牌:ST/意法 | 型號:STD5NM50-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:7.5A | 夾斷電壓:30 | 極間電容:415