品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI7738DP-T1-E3,QFN8 5*6,SMD/MOS,N場(chǎng),150V,30A,0.038Ω | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:96W | 電壓:150V | 電流:30A
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI8902EDB | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
¥2.80
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI5435DC | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.5W | 最大漏極電流ID:-5.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個(gè)
¥1.20
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3495DV | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-5.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
≥3000 個(gè)
¥1.20
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3457CDV-T1-GE3 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類(lèi)型:其他IC | 最大耗散功率PD:3W | 最大漏極電流ID:-5.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個(gè)
¥0.85
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3447DV | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
¥0.75
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3445DV | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
¥0.68
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2341DS | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.71W | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個(gè)
¥0.75
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2305DS | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 跨導(dǎo):40 | 最大漏極電流:5400 | 開(kāi)啟電壓:4.5 | 夾斷電壓:8 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:740 | 最大耗散功率:1700
≥10 個(gè)
¥0.15
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFR430ATRPBF | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):10 | 開(kāi)啟電壓:500 | 夾斷電壓:800 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:110
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRF830APBF | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):10 | 開(kāi)啟電壓:100 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數(shù):0.6 | 極間電容:0.5 | 最大耗散功率:74
≥1 個(gè)
¥0.50