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- 場(chǎng)效應(yīng)管 SI7738DP,SI7658ADP
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI7738DP-T1-E3，QFN8 5*6，SMD/MOS，N場(chǎng)，150V，30A，0.038Ω | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:96W | 電壓:150V | 電流:30A
- 詢(xún) 價(jià)
- SI8902EDB/雙向N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 20V 5A 2X3 6-MFP/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI8902EDB | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥2.80
- 詢(xún) 價(jià)
- SI5435DC/30V 5.6A/開(kāi)關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/1206-8/威世
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI5435DC | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.5W | 最大漏極電流ID:-5.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢(xún) 價(jià)
- SI3495DV/20V 5.3A/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3495DV | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-5.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢(xún) 價(jià)
- SI3457CDV-T1-GE3/30V 5.1A/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-163
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3457CDV-T1-GE3 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類(lèi)型:其他IC | 最大耗散功率PD:3W | 最大漏極電流ID:-5.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.85
- 詢(xún) 價(jià)
- SI3447DV/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET -12V -5.2A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3447DV | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.75
- 詢(xún) 價(jià)
- SI3445DV/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET -8V -5.6A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3445DV | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.68
- 詢(xún) 價(jià)
- SI2341DS/開(kāi)關(guān)/30V P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-23
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2341DS | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.71W | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.75
- 詢(xún) 價(jià)
- 標(biāo)準(zhǔn)電流/：SI2305/（A5SHB）SOT23-3
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2305DS | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 跨導(dǎo):40 | 最大漏極電流:5400 | 開(kāi)啟電壓:4.5 | 夾斷電壓:8 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:740 | 最大耗散功率:1700
- ≥10 個(gè)
  
  ￥0.15
- 詢(xún) 價(jià)
- 進(jìn)口無(wú)鉛IRFR430ATRPBF, IRFR430A SOT-252
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFR430ATRPBF | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):10 | 開(kāi)啟電壓:500 | 夾斷電壓:800 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:110
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢(xún) 價(jià)
- 進(jìn)口無(wú)鉛IRF830APBF, IRF830A TO-220
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRF830APBF | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):10 | 開(kāi)啟電壓:100 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數(shù):0.6 | 極間電容:0.5 | 最大耗散功率:74
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢(xún) 價(jià)