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種類:場效應管 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3565

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3565 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 材料:SIT靜電感應

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3236 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 類型:其他IC | 應用范圍:功率

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3868，TO-220F，DIP/MOS，N場，500V，5A，1.7Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK719 2SK723 2SK724 2SK725 2SK735 2SK736 2SK752 2 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5A | 低頻噪聲系數:` | 極間電容:`

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK291 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:TV/電視 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:12.5V | 應用范圍:放大

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK2053 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:5A | 最大源漏電壓VDSS:16V | 應用范圍:其他

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1359 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK3720-5-TB-E | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:N/A

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2837 | 用途:NF/音頻(低頻) | 最大漏極電流:5 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:3720

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK1985 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導:15 | 開啟電壓:900 | 夾斷電壓:1050 | 低頻噪聲系數:15 | 極間電容:20 | 最大耗散功率:120

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4107 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導:3 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:15A | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:3720 | 最大耗散功率:150

品牌:Hitachi/日立 | 型號:2sk2225 2sk1317 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:3 | 夾斷電壓:3 | 最大耗散功率:5

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2399 K2399 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5A | 低頻噪聲系數:` | 極間電容:500

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK3113-Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2A | 開啟電壓:2.5-3.5 | 夾斷電壓:0 | 最大耗散功率:20W