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品牌:AD/亞德諾 | 型號:AD8061ART | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:SOT-23-5 | 應(yīng)用范圍:振蕩

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI7738DP-T1-E3，QFN8 5*6，SMD/MOS，N場，150V，30A，0.038Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:96W | 電壓:150V | 電流:30A

品牌:STANSON | 型號:ST2304SRG | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 封裝:SOT-23

類型:驅(qū)動IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDS4953A | 功率:5A | 驅(qū)動芯片類型:MOS | 針腳數(shù):8 | 用途:電源 | 封裝:sop-8 | 批號:2013 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 溝道類型:雙p溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

品牌:廠家 直銷 | 型號:AO4606 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N+P | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | -30V:5A | 30V:7A

品牌:ON/安森美 | 型號:MTD5N10E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:Motorola/摩托羅拉 | 型號:MTD5N05 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:NCE(新潔能） | 型號:NCE4953A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:NCE(新潔能） | 型號:NCE1505S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:NCE(新潔能） | 型號:NCE9435A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:-5A | 開啟電壓:-30 | 夾斷電壓:20

品牌:Zetex/捷特科 | 型號:ZXMN7A11KTC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:8.5W | 最大漏極電流ID:6.1A | 最大源漏電壓VDSS:70V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA650TT-E1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流Id:-5A | 最大源漏電壓Vds:-12V | 最大耗散功率:0.2W

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1916TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1913TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1914TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1912TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1911TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1900TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:5.5A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC6103 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.2W | 最大漏極電流ID:-5.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V