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類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640NS | 功率:5mW | 用途:L/功率放大 | 封裝:TO-263 | 批號:12年 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 電壓:200V | 電流:18A

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK5A50D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3445DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2305DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 跨導:40 | 最大漏極電流:5400 | 開啟電壓:4.5 | 夾斷電壓:8 | 低頻噪聲系數:30 | 極間電容:740 | 最大耗散功率:1700

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N90C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFU430APBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導:10 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:1000 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:4 | 最大耗散功率:110

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFR430ATRPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導:10 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:800 | 低頻噪聲系數:2 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:110

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF830APBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導:10 | 開啟電壓:100 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數:0.6 | 極間電容:0.5 | 最大耗散功率:74

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2399 K2399 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5A | 低頻噪聲系數:` | 極間電容:500