品牌:NATIONAL國家半導體 | 型號:fdw262p-nl | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最大耗散功率Pd:1.3W | 最大漏極電流Id:-4.5A
≥1200 個
¥2.60
品牌:TI/德州儀器 | 型號:CSD17310Q5A,MOS,30V,100A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:100A | 開啟電壓:1.8 | 夾斷電壓:10/-8 | 極間電容:1560 | 最大耗散功率:3.1W