品牌:AD/亞德諾 | 型號:AD8061ART | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:SOT-23-5 | 應用范圍:振蕩
≥1000 個
¥0.01
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI7738DP-T1-E3,QFN8 5*6,SMD/MOS,N場,150V,30A,0.038Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:96W | 電壓:150V | 電流:30A
品牌:MITSUBISHI/三菱 | 型號:FS5SM-16A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:TO-3P
≥100 個
¥0.90
品牌:MagnaChip/美格納 | 型號:MDF18N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:18A | 開啟電壓:5V | 最大耗散功率:37W
品牌:美國IPS | 型號:ISA05N50A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥1.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥2.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3868,TO-220F,DIP/MOS,N場,500V,5A,1.7Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:p8N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 關斷速度:普通 | 極數:三極 | 封裝材料:塑料封裝
≥100 千克
¥1.20
品牌:APT/上海二工 | 型號:APT5F100K,TO-220,DIP/MOS,N場,1000V,5A,2.8Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:APT/上海二工 | 型號:APT5F100K,TO-220,DIP/MOS,N場,1000V,5A,2.8Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:Zetex/捷特科 | 型號:ZXMN7A11KTC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:8.5W | 最大漏極電流ID:6.1A | 最大源漏電壓VDSS:70V
≥2500 個
¥1.80
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1900TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:5.5A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
¥0.95
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5H05TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.42
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI8902EDB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥2.80
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5N15FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:30V
≥3000 個
¥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN361AN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:1.8A | 最大源漏電壓VDSS:30V
≥3000 個
¥0.50
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSV236SP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.70
品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:BSP250 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:5W | 最大漏極電流ID:-3A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥1000 個
¥3.00