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品牌:廠家 直銷 | 型號:AO4606 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N+P | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | -30V:5A | 30V:7A

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3868，TO-220F，DIP/MOS，N場，500V，5A，1.7Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA650TT-E1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流Id:-5A | 最大源漏電壓Vds:-12V | 最大耗散功率:0.2W

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1916TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1913TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1912TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1911TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1900TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:5.5A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI5435DC | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.5W | 最大漏極電流ID:-5.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3457CDV-T1-GE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:3W | 最大漏極電流ID:-5.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3447DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2341DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.71W | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RTR025P02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1 | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5N15FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RSR015P03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:-1.5A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:QS5U27 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1W | SBD參數:Vr=-20V，Io=1A | 應用范圍:放大

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:MCH6308 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.5W | 最大漏極電流ID:-3.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:MCH3309 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.9W | 最大漏極電流ID:-1.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:BSP250 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:5W | 最大漏極電流ID:-3A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:5LP01C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.07A | 最大源漏電壓VDSS:-50V | 應用范圍:放大