品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3236 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 類型:其他IC | 應用范圍:功率
≥2 個
￥2.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK5A50D K5A50D | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵
≥1000 個
￥0.70
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640NS | 功率:5mW | 用途:L/功率放大 | 封裝:TO-263 | 批號:12年 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 電壓:200V | 電流:18A
1-9 個
￥1.50
10-999 個
￥1.40
≥1000 個
￥1.30
類型:其他IC | 品牌:ME | 型號:ME6219C28M5G | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥1 個
￥0.30
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
￥2.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥1.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK5A50D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
≥3000 個
￥1.30
品牌:ST/意法 | 型號:STE53NA50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥1 個
￥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:p8N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 關斷速度:普通 | 極數:三極 | 封裝材料:塑料封裝
≥100 千克
￥1.20
品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK719 2SK723 2SK724 2SK725 2SK735 2SK736 2SK752 2 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5A | 低頻噪聲系數:` | 極間電容:`
≥10 個
￥3.00
品牌:華晶 | 型號:CS5N20A3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DIFF/差分放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:4800 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0
≥1000 個
￥0.56
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KA5M0380R | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si) | 跨導:33 | 最大漏極電流:33 | 開啟電壓:33
≥1 個
￥3.50
品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:FS5KM-18A.FS3KM-18A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P
≥2 個
￥2.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLZ24N IRLZ24NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:18 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:480
≥1 個
￥3.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF820PBF IRF820 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:2.5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:3ohm
≥1 個
￥2.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF520PBF IRF520 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:9.2A | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:270mohm
≥1 個
￥0.10
品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:FS5KM-18A.FS3KM-18A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P
≥1 個
￥2.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530 IRF530N IRF530NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:17 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:920
≥1 個
￥2.00
品牌:Hitachi/日立 | 型號:5N3011.5N2008. H5N3011P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥2 個
￥8.20
品牌:臺灣震陽 | 型號:z2313 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 跨導:72 | 最大漏極電流:-2.5A | 開啟電壓:12
≥1000 個
￥0.23